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InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器

產(chǎn)品簡介

InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器低成本、低噪聲、高靈敏度、高可靠性、高速響應(yīng)

產(chǎn)品型號：
更新時(shí)間：2025-01-22
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
訪問量：1928
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InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器


特點(diǎn)

G12181-230K

長波長類型（截止波長：1.85 μm）

- 截止波長：1.85 μm

- 兩級電子冷卻型

- 低成本

- 受光面：φ3 mm

- 低噪聲

- 高靈敏度

- 高可靠性

- 高速響應(yīng) 

 

 

G12183-230K

長波長類型（截止波長：2.55 μm）

- 截止波長：2.55 μm

- 兩級電子冷卻型

- 低成本

- 受光面：φ3 mm

- 低噪聲

- 高靈敏度

- 高可靠性

- 高速響應(yīng)

 

 

參數(shù)：

型號/參數(shù)

G12181-030K

G12183-230K

受光面

φ3.0 mm

φ3.0 mm

像素?cái)?shù)

1

1

封裝

金屬

金屬

封裝類別

TO-8

TO-8

散熱

兩級電子冷卻型

兩級電子冷卻型

靈敏度波長范圍

0.9 到 1.85 μm

0.9 到 2.55 μm

最大靈敏度波長（典型值）

1.75 μm

2.3 μm

感光靈敏度（典型值）

1.1 A/W

1.3 A/W

暗電流（最大值）

50 nA

60000 nA

截止頻率（典型值）

1.9 MHz

1 MHz

結(jié)電容（典型值）

1700 pF

3200 pF

噪聲等效功率（典型值）

3.5×10-14 W/Hz1/2

6×10-13 W/Hz1/2

測量條件

典型值 Tc=-20°C，除非另有說明，感光靈敏度：λ=λp，暗電流：VR=0.5 V，截止頻率：VR=0V，RL=50Ω，結(jié)電容：VR=0V，f=1MHz

典型值 Tc=-20°C，除非另有說明，感光靈敏度：λ=λp，暗電流：VR=0.5 V，截止頻率：VR=0 V，RL=50Ω，結(jié)電容：VR=0V，f =1MHz

 

光譜靈敏度特性

 InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器2.jpegInGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器3.jpeg

外形尺寸圖（單位：mm）

InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器4.jpeg

InGaAs系列制冷型銦鎵砷探測器

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